04
閘流體效應
(1)是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導通,當電壓加高到一定程度,電流產(chǎn)生突變。
(2)產(chǎn)生閘流體現(xiàn)象原因是發(fā)光材料外延片生長時出現(xiàn)了反向夾層,有此現(xiàn)象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,在使用過程是出于兩極電壓不夠大,表現(xiàn)為不亮,可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn),小電流下的正向壓降明顯偏大,則可能是該問題所致。
05
反向漏電流IR
在限定條件下反向漏電流為二極管的基本特性,按LED以前的常規(guī)規(guī)定,指反向電壓在5V時的反向漏電流。隨著發(fā)光二極管性能的提高,反向漏電流會越來越小。IR越小越好,產(chǎn)生原因為電子的不規(guī)則移動。
(1)芯片本身品質(zhì)問題原因,可能晶片本身切割異常所導致。
(2)銀膠點的太多,嚴重時會導致短路。外延造成的反向漏電主要由PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷所致,芯片制作過程中側(cè)面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液調(diào)配銀膠。以防止銀膠通過毛細現(xiàn)象爬到結(jié)區(qū)。
(3)靜電擊傷。外延材料,芯片制作,器件封裝,測試一般5V下反向漏電流為10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓。不同類型的LED反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,而普紅芯片則在十幾二十伏之間。
(4)焊線壓力控制不當,造成晶片內(nèi)崩導致IR升高。
解決方案
(1)銀膠膠量需控制在晶片高度的1/3~1/2;
(2)人體及機臺靜電量需控制在50V以下;
(3)焊線第一點的壓力應控制在30~45g之間為佳。
06
死燈現(xiàn)象
(1)LED的漏電流過大造成PN結(jié)失效,使LED燈點不亮,這種情況一般不會影響其他的LED燈的工作。
(2)LED燈的內(nèi)部連接引線斷開,造成LED無電流通過而產(chǎn)生死燈,這種情況會影響其他的LED燈的正常工作,原因是由于LED燈工作電壓低(紅黃橙LED工作電壓1.8v-2.2v,藍綠白LED工作電壓2.8-3.2v),一般都要用串、并聯(lián)來聯(lián)接,來適應不同的工作電壓,串聯(lián)的LED燈越多影響越大,只要其中有一個LED燈內(nèi)部連線開路,將造成該串聯(lián)電路的整串LED燈不亮,可見這種情況比第一種情況要嚴重的多。
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