單晶藍寶石(Sapphire)與氮化鎵(GaN)屬于硬脆性材料(抗拉強度接近鋼鐵),因此很難被切割分成單體的LED器件。采用傳統(tǒng)的機械鋸片切割這些材料時容易帶來晶圓崩邊、微裂紋、分層等損傷,所以采用鋸片切割LED晶圓,單體之間必須保留較寬的寬度才能避免切割開裂將傷及LED器件,這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產(chǎn)出效率。
激光加工是非接觸式加工,作為傳統(tǒng)機械鋸片切割的替代工藝,激光劃片切口非常小,聚焦后的激光微細光斑作用在晶圓表面,迅速氣化材料,在LED有源區(qū)之間制造非常細小的切口,從而能夠在有限面積的晶圓上切割出更多LED單體。激光劃片對砷化鎵(GaAs)以及其他脆性化合物半導體晶圓材料尤為擅長。激光加工LED晶圓,典型的劃片深度為襯底厚度的1/3到1/2,這樣分割就能夠得到干凈的斷裂面,制造窄而深的激光劃片裂縫同時要保證高速的劃片速度,這就要求激光器具備窄脈寬、高光束質量、高峰值功率、高重復頻率等優(yōu)良品質。
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